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電子元器件廢水處理工程中MBR曝氣裝置的設計要點

來源:蘇州依斯倍環保裝備科技有限公司 發布日期 2021.09.08 00:00

電子半導體廢水處理


今天依斯倍環保將和你談談電子元器件廢水處理工程中MBR曝氣裝置的設計要點,希望對你的日常環保設備維護工作有所幫助。

 

1.電子元器件廢水處理工程中曝氣裝置可固定在池底(需要做膜組件支架和膜組件滑入導軌),或與膜組件一起做,各有利弊。曝光氣管的位置要慎重考慮。每根膜片間隙對應一穿孔管,穿孔尺寸為φ2.0mm ,穿孔間距為100mm。鄰接管道的穿孔位置交錯穿插,孔是單排垂直向上。可以使用雙行和傾斜方式。依斯倍認為不可取,沉降污泥不會堵塞孔。

 

2.大致估計通氣量。依據經驗數據,風機排氣壓頭可按汽水比24:1(常規池深3.5m)選擇,比大液位高0.01兆帕;風機出口設置排氣閥,排氣管口徑全開,排出70% 的空氣量。排氣口設有消音裝置,用來控制生化槽差量,保護風機。

 

各膜組合曝氣設置有單獨的調節閥,而整個生化槽的充氧曝氣另作獨立控制閥,并采用微孔充氧曝氣裝置,保證了混合空氣和充氧空氣的靈活調節。

 

MBR池的控制在2.5~5ppm之間,正常的液位在3ppm左右,液位高低不同,不宜長時間超過5.0ppm。

 

上面是依斯倍環保小編和大家聊的電子元器件廢水處理工程中MBR曝氣裝置的設計要點,希望能對大家有所幫助。


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